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府党基于非平衡态格林函数方法的电子输运计算结果显示在1.0V电压作用下Cr基MXene的磁阻变化率超过了400%。图1.Cr2CF2结构俯视图与侧视图，组召总书以及Au/Cr基MXene/Au组成的磁阻器件示意图。

议学要讲【小结】准二维磁性材料在电子器件领域中具有非常大的应用前景。其在基态下，习贯上下两层Cr原子层具有不同的自旋方向，中间的C原子层类似于绝缘层，整体结构与Fe/MgO/Fe的三明治结构非常相似，见图1。其次，彻习在制备磁阻器件的同时保持稳定的金属氧化物界面也是另一个重要挑战。

然而，近平记重这对相应的实验制备技术要求非常高。其被广泛应用于磁传感、市政示精神磁存储(磁卡、硬盘)等领域。

【成果简介】近日，府党衢州学院杨建辉博士与中科院宁波材料所陈亮课题组、山东师范大学王传奎课题组、以及河北大学王瑞宁课题组合作。

因此，组召总书在降低材料厚度的同时仍保持较高的磁阻效应成为该领域的一个重要挑战。获1996-2000年度香港求是杰出青年学者奖、议学要讲2005年国家自然科学二等奖（排名第三）、2012年获何梁何利科技进步奖和2015年周光召基金会基础科学奖。

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2001-2008年在美国Nanosys高科技公司工作、近平记重是该公司的联合创始人之一，近平记重历任联合技术顾问、先进技术科学家、先进技术高级科学家、先进技术部经理和首席科学家。研究方向包括：市政示精神(1)纳米材料的合成、组装和表征。